Toshiba сообщила о завершении совместной разработки с Infineon Technologies чипа сегнетоэлектрической RAM (FeRAM), который, по предварительным оценкам характеризуется максимальным на данный момент объемом памяти. 32-мегабитное устройство обладает так называемой “цепной” архитектурой ячеек, т.е. сегнетоэлектрический конденсатор и полевой транзистор (FET) расположены в рамках структуры параллельно, что обеспечивает большую плотность. Устройство создано на основе 0,2-микронной технологии.
|