Russian Anime News

Toshiba и Infineon разработали FeRAM самой высокой плотности

Подготовлено к печати 29.04.2024 в 07:09
Текст новости:
Toshiba сообщила о завершении совместной разработки с Infineon Technologies чипа сегнетоэлектрической RAM (FeRAM), который, по предварительным оценкам характеризуется максимальным на данный момент объемом памяти. 32-мегабитное устройство обладает так называемой “цепной” архитектурой ячеек, т.е. сегнетоэлектрический конденсатор и полевой транзистор (FET) расположены в рамках структуры параллельно, что обеспечивает большую плотность. Устройство создано на основе 0,2-микронной технологии.

Общая площадь чипа уменьшена до 96мм², т.е. вполовину по сравнению с традиционными чипами FeRAM, с ячейкой идентичного размера. Участок контроллера занимает 34% общей поверхности чипа, что, по заявлению компании, является минимальной из возможных пропорций. Ожидается, что уменьшение размеров будет стимулировать снижение цен на устройства FeRAM. FeRAM – не разрушаемая при отключении питания RAM, совмещающая скорость DRAM и SRAM с возможностью флэш-памяти, позволяющей сохранять данные при отключении питания. FeRAM характеризуется низким уровнем потребления энергии, и может применяться в интегральных схемах и мобильных устройств. Шаг в сторону практических приложений обусловлен расширенным объемом памяти и беспрецедентными факторами производства. Toshiba и Infineon разрабатывали FeRAM с начала 2001 г. Работы проводились в Иокогаме (Япония).





Новость предоставлена Russian Anime News
http://anime.7wolf.net/news_japan

Постоянный адрес новости:
http://anime.7wolf.net/news_japan/news.php?newsid=206